快科技12月9日音问白丝 做爱，据媒体报说念，已凯旋树立出打破性的400层堆叠NAND Flash闪存技艺，并已驱动将该技艺转机到大边界分娩线。

这一知道有望特等前不久已晓谕量产321层NAND Flash的SK海力士。

三星计较在2025年国外固态电路会议（ISSCC）上详备先容其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存白丝 做爱，并瞻望于2025年下半年驱动量产。

商场众人预测，要是进度加速，量产可能会在2025年第二季度末驱动。

除了400层NAND Flash闪存，三星还计较增多其先进内存产物线的产量，包括在平泽园区装配新第9代（286层堆叠）NAND Flash闪存分娩武艺，月产能为30000至40000片晶圆。

以及在中国西安工场将128层堆叠（V6）NAND Flash闪存分娩线治疗为236层堆叠（V8）NAND Flash闪存产物制程。

现在，三星在宇宙NAND Flash闪存商场市占率为36.9%，濒临SK海力士的竞争，三星的这一打破显得尤为紧要。